| 发明名称 | 晶体管重叠电容的测试结构及其测试方法 | ||
| 摘要 | 一种晶体管重叠电容的测试结构及其测试方法，其中，晶体管重叠电容的测试方法包括：提供测试结构，测试结构包括位于半导体衬底上的晶体管、第一连接结构和第二连接结构，晶体管包括位于衬底上的栅介质层、位于栅介质层上的栅极、位于栅极两侧的半导体衬底中的源区和漏区，第一连接结构位于源区表面且连接源区，第二连接结构位于漏区表面且连接漏区，其中，源区或漏区还包括位于栅介质层下的重叠区；测试获取第一连接结构与栅极之间的第一电容；测试获取第二连接结构与栅极之间的第二电容；计算第一电容和第二电容的差值的绝对值，得到晶体管的重叠电容。本发明晶体管重叠电容的测试方法简单，并能准确简便地测试出晶体管的重叠电容。 | ||
| 申请公布号 | CN104103628A | 申请公布日期 | 2014.10.15 |
| 申请号 | CN201310113683.7 | 申请日期 | 2013.04.02 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 李勇;洪中山 |
| 分类号 | H01L23/544(2006.01)I;H01L21/66(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/544(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 骆苏华 |
| 主权项 | 一种晶体管重叠电容的测试方法，其特征在于，包括：提供测试结构，所述测试结构包括位于半导体衬底上的晶体管、第一连接结构和第二连接结构，所述晶体管包括位于衬底上的栅介质层、位于栅介质层上的栅极、位于栅极两侧的半导体衬底中的源区和漏区，所述第一连接结构位于源区表面且连接所述源区，所述第二连接结构位于漏区表面且连接所述漏区，其中，所述源区或漏区还包括位于栅介质层下的重叠区；测试获取所述第一连接结构与栅极之间的第一电容；测试获取所述第二连接结构与栅极之间的第二电容；计算所述第一电容和第二电容的差值的绝对值，得到晶体管的重叠电容。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||