有源区衬垫氧化前的晶片预清洗方法

摘要

本发明提供一种有源区衬垫氧化前的晶片预清洗方法，至少包括以下步骤：提供一晶片，将所述晶片置于反应腔内；先在所述晶片上喷洒O₃的水溶液以去除所述晶片上的有机杂质并在所述晶片上形成氧化层；然后在所述晶片上喷洒稀释的氢氟酸以溶解所述氧化层并去除所述晶片上的杂质颗粒；接着在所述晶片上喷洒O₃的水溶液以在所述晶片上再次形成氧化层；最后在所述晶片上喷洒SC1溶液以进一步去除所述晶片上的杂质颗粒。本发明的有源区衬垫氧化前的晶片预清洗方法能够大幅提高晶片的清洁度，有利于产品良率的提升，并显著降低晶片清洗成本。

主权项

一种有源区衬垫氧化前的晶片预清洗方法，其特征在于，所述有源区衬垫氧化前的晶片预清洗方法至少包括以下步骤：1）提供一晶片，将所述晶片置于反应腔内；2）在所述晶片上喷洒O₃的水溶液以去除所述晶片上的有机杂质并在所述晶片上形成氧化层；3）然后在所述晶片上喷洒稀释的氢氟酸以溶解所述氧化层并去除所述晶片上的杂质颗粒；4）接着在所述晶片上喷洒O₃的水溶液以在所述晶片上再次形成氧化层；5）最后在所述晶片上喷洒SC1溶液以进一步去除所述晶片上的杂质颗粒。