具有补偿区的半导体器件

摘要

本发明公开了具有补偿区的半导体器件。一种半导体器件包括：半导体基体，所述半导体基体包括内区和边缘区；在所述内区和边缘区中并且耦合到第一端子的第一掺杂类型的第一掺杂器件区；以及在所述内区中并耦合到第二端子的与所述第一掺杂类型互补的第二掺杂类型的至少一个第二掺杂器件区。此外，所述半导体器件包括所述边缘区中的少数载流子转换器结构。所述少数载流子转换器结构包括：与第一掺杂器件区邻接的第二掺杂类型的第一阱区，以及将所述第一阱区电耦合到第一掺杂器件区的导体。

主权项

一种半导体器件，包括：半导体基体，其包括内区和边缘区；第一掺杂类型的第一掺杂器件区，其在所述内区和所述边缘区中并且耦合到第一端子；与所述第一掺杂类型互补的第二掺杂类型的至少一个第二掺杂器件区，其在所述内区中并耦合到第二端子；所述边缘区中的少数载流子转换器结构，所述少数载流子转换器结构包括与所述第一掺杂器件区邻接的所述第二掺杂类型的第一阱区，以及将所述第一阱区电耦合到所述第一掺杂器件区的导体。