| 摘要 |
<p>기판 상에, 적어도 게이트 전극과, 게이트 절연막과, 반도체층과, 반도체층의 보호층과, 소스 전극과, 드레인 전극을 갖고, 소스 전극과 드레인 전극이 반도체층을 통해 접속되어 있고, 게이트 전극과 반도체층 사이에 게이트 절연막이 있고, 반도체층의 적어도 일면측에 보호층을 갖고, 반도체층이 In 원자, Sn 원자 및 Zn 원자를 포함하는 산화물이며, Zn/(In+Sn+Zn)으로 표시되는 원자 조성 비율이 25원자% 이상 75원자% 이하이고, Sn/(In+Sn+Zn)으로 표시되는 원자 조성 비율이 50원자% 미만인 것을 특징으로 하는 전계 효과형 트랜지스터.</p> |
