铜清洁及保护调配物

摘要

本发明系关于一种用于自其上含有化学机械抛光(CMP)后残留物及污染物之微电子装置清洁该残留物及污染物的清洁组合物及方法。该清洁组合物包括新颖的腐蚀抑制剂。该组合物达成高效清洁该微电子装置表面之CMP后残留物及污染物，且不会损及低k介电材料或铜互连材料。

主权项

一种清洁组合物，其包含至少一种溶剂、至少一种腐蚀抑制剂、至少一种胺、及至少一种第四硷，其中该腐蚀抑制剂包含选自由以下组成之群之一种类：N-核糖嘌呤、鸟苷、2-胺基嘌呤核糖苷、2-甲氧基腺苷、N-甲基腺苷、N,N-二甲基腺苷、三甲基化腺苷、三甲基N-甲基腺苷、C-4'-甲基腺苷、3-脱氧腺苷；甲基化腺嘌呤、二甲基化腺嘌呤、N4,N4-二甲基嘧啶-4,5,6-三胺、4,5,6-三胺基嘧啶、尿囊素、羟基化C-O-O-C二聚体、C-C桥联二聚体、核糖、甲基化核糖、四甲基化核糖、木糖、葡萄糖经胺基取代的嘧啶；及其组合，及其中该组合物实质上没有腐蚀抑制金属卤化物。