半导体制程

摘要

一种半导体制程。于一基底上形成一罩幕层，罩幕层具有暴露出部分基底的一第一开口。以罩幕层为罩幕，进行一乾式蚀刻制程，以于基底中形成一第二开口，其中第二开口具有一底部与由底部向上向外延伸的一侧壁，罩幕层的第一开口暴露出第二开口的底部，且罩幕层遮蔽第二开口的侧壁。以罩幕层为罩幕，对第二开口的底部进行一垂直式离子植入制程。经由第一开口对基底进行一转换制程，以于第二开口的侧壁上与底部上形成一转换层，其中形成于侧壁上的转换层之厚度大于形成于底部上的转换层之厚度。

主权项

一种半导体制程，包括：于一基底上形成一罩幕层，该罩幕层具有暴露出部分该基底的一第一开口；以该罩幕层为罩幕，进行一乾式蚀刻制程，以于该基底中形成一第二开口，其中该第二开口具有一底部与由该底部向上向外延伸的一侧壁，该罩幕层的该第一开口暴露出该第二开口的该底部，且该罩幕层遮蔽该第二开口的该侧壁；以该罩幕层为罩幕，经由该第一开口对该第二开口的该底部进行一垂直式离子植入制程，其中该第二开口的该侧壁被该罩幕层遮蔽且未被其他膜层覆盖；以及对该基底进行一转换制程，以于该第二开口的该侧壁上与该底部上形成一转换层，其中形成于该侧壁上的该转换层之厚度大于形成于该底部上的该转换层之厚度。