电晶体的制造方法

摘要

一种电晶体的制造方法。于基底上形成图案化牺牲层，图案化牺牲层包括多个开口，开口暴露基底。以图案化牺牲层为罩幕，对基底进行掺杂制程，以于开口所暴露的基底中形成源极掺杂区与汲极掺杂区。进行选择性成长制程，以分别于源极掺杂区与汲极掺杂区上形成源极与汲极。移除图案化牺牲层，以暴露源极与汲极之间的基底。于源极与汲极之间的基底上形成闸极。

主权项

一种电晶体的制造方法，包括：于一基底上形成一图案化牺牲层，该图案化牺牲层包括多个开口，该些开口暴露该基底；以该图案化牺牲层为罩幕，对该基底进行一掺杂制程，以于该些开口所暴露的基底中形成一源极掺杂区与一汲极掺杂区；进行一选择性成长制程，以分别于该源极掺杂区与该汲极掺杂区上形成一源极与一汲极；移除该图案化牺牲层，以暴露该源极与该汲极之间的该基底；于该基底上形成一闸介电材料层，该闸介电材料层覆盖该源极与该汲极；于该闸介电材料层上形成一闸极导体材料层；以及以该源极与该汲极的顶部为研磨终止层，对该闸介电材料层与该闸极导体材料层进行一平坦化制程，以于该源极与该汲极之间的该基底上形成一闸极。