位元线结构及其制造方法

摘要

本发明实施例系提供一种位元线结构，包括：一基材，具有一瓶状沟槽于其中，其中此瓶状沟槽包含一第一沟槽及一扩大的第二沟槽，且其中第一沟槽及第二沟槽各自具有相互面对的一第一侧壁及一第二侧壁，此第一及第二沟槽之第一侧壁皆位于瓶状沟槽之同一侧；一绝缘层，位于第二沟槽中，具有一第一开口朝向第一沟槽，且与第二沟槽构成一第二开口，此第二开口连接至第一开口并暴露出第二沟槽之第一侧壁之顶部部分；一导电材料，至少位于基材之邻接于该第二开口的部分中；以及一导线，位于第一开口中，且与导电材料直接接触。

主权项

一种位元线结构之制造方法，包括：提供一基材；形成一瓶状沟槽于该基材中，其中该瓶状沟槽包含一第一沟槽及一扩大的第二沟槽，且其中该第一沟槽及该第二沟槽各自具有相互面对的一第一侧壁及一第二侧壁，该第一及该第二沟槽之该第一侧壁皆位于该瓶状沟槽之同一侧；形成一绝缘层填满该第二沟槽，覆盖该第二沟槽之该第一及该第二侧壁及底部；形成一朝向该第一沟槽之第一开口于该绝缘层中；自该第一开口移除该绝缘层之靠近该第二沟槽之该第一侧壁之一顶部部分的部分，形成一第二开口，该第二开口连接该第一开口并暴露出该第二沟槽之该第一侧壁之该顶部部分；填入一导电材料于该第二开口中；以及形成一导线于该瓶状沟槽之底部，该导线与该导电材料直接接触。