三维记忆体晶片之控制结构

摘要

一种三维记忆体晶片之控制结构，包括：一主晶片，其具有一主记忆体核心、一第一本地计时器、一输入/输出缓冲器、一第一接触垫与一第二接触垫；至少一从属晶片，其与主晶片堆叠，其中每一从属晶片具有一各别从属记忆体核心、一第二本地计时器与一第三接触垫；一第一矽晶穿孔结构，耦接第一接触垫与第三接触垫；一逻辑控制电路层，包含一逻辑控制电路与一第四接触垫，逻辑控制电路耦接第四接触垫；以及一第二矽晶穿孔结构，耦接第二接触垫与第四接触垫。

主权项

一种三维记忆体晶片之结构，包括：一主晶片，其具有一主记忆体核心、一第一计时器、一输入/输出缓冲器、一第一接触垫与一第二接触垫；至少一从属晶片，其与该主晶片堆叠，其中每一该至少一从属晶片具有一各别从属记忆体核心、一第二计时器与一第三接触垫，其中该至少一从属晶片不包含输入/输出缓冲器；以及一矽晶穿孔结构，耦接该第一接触垫与该第三接触垫。