记忆体装置

摘要

本发明揭示一种记忆体装置，其包含：一电晶体阵列，其具有若干电晶体；及记忆体元件，针对该等电晶体之每一者提供一个记忆体元件。该电晶体阵列包含：一基板，在其一表面上具有扩散层；并列字线，其等位于该基板上；并列第一位元线，其等沿垂直于该等字线之一方向予以提供；位元接触电极，其等位于毗邻的两个字线之间且连接该等第一位元线与该等扩散层；及节点接触电极，其等位于该等位元接触电极之一相对侧处其之间具有该两个字线且连接至该等扩散层。该等记忆体元件具有：下部电极，其等连接至该等节点接触电极；记忆体层，其等位于该等下部电极上且具有藉由电压应用而可逆地改变之电阻值；及并列第二位元线，其等在该等记忆体层上沿与该等第一位元线之方向相同之方向延伸。

主权项

一种记忆体装置，其包括：一电晶体阵列，其具有复数个电晶体；及复数个记忆体元件，针对该复数个电晶体中之每一者提供一个记忆体元件，该电晶体阵列包含一基板，在其一表面上具有该复数个电晶体之扩散层，复数个并列字线，其等位于该基板上，复数个并列第一位元线，其等沿垂直于该等字线之一方向予以提供，位元接触电极，其等提供于毗邻的两个字线之间且连接该等第一位元线与该等扩散层，及节点接触电极，其等提供于该等位元接触电极之一相对侧处其之间具有各别毗邻两个字线且连接至该等扩散层，且该复数个记忆体元件具有下部电极，其等连接至该等节点接触电极且相对于该复数个记忆体元件中之每一者而提供于在平行于该基板之该表面之一平面内自较靠近于该等位元接触电极之该等节点接触电极直接上方移位之位置中，记忆体层，其等提供于该等下部电极上且具有藉由电压应用而可逆地改变之电阻值，及复数个并列第二位元线，其等在该等记忆体层上沿与该等第一位元线之方向相同之方向延伸，其中该各别复数个第二位元线叠加于在该等第一位元线之两侧处连接至该等节点接触电极之该等下部电极上。