发光二极体电性接触结构

摘要

本发明为一种发光二极体电性接触结构，应用于一发光二极体结构，其包含一N型金属电极层与一氮化物中间层，该发光二极体结构包含堆叠形成三明治结构的一N型半导体层、一发光层与一P型半导体层，其中该氮化物中间层图案化的形成于该N型半导体层上，该N型金属电极层形成于该氮化物中间层上，以藉由该氮化物中间层形成阻绝介面，可避免该N型半导体层受到金属离子扩散的破坏而保持电性稳定，且该氮化物中间层不会因长时间高温而软化凝结，可增加附着力，进而避免N型金属电极层有剥离现象，据而可增加发光二极体的使用寿命。

主权项

一种发光二极体电性接触结构，应用于一发光二极体结构，该发光二极体结构包含堆叠形成三明治结构的一N型半导体层、一发光层与一P型半导体层，其包含：一氮化物中间层，该氮化物中间层图案化的形成于该N型半导体层上，且该氮化物中间层为选自氮化钛与氮化铬所组成的群组；以及一N型金属电极层，该N型金属电极层形成于该氮化物中间层上。