| 发明名称 |
应变层的松弛及转移 |
| 摘要 |
本发明系有关将至少局部松弛应变的材料形成在一目标基材上之方法，其包含下列接续进行的步骤：由一中间基材上的应变材料层形成岛，经由第一热处理至少局部松弛该应变材料岛，及将该等至少局部松弛应变的材料岛转移至该目标基材。 |
| 申请公布号 |
TWI456660 |
申请公布日期 |
2014.10.11 |
| 申请号 |
TW098124932 |
申请日期 |
2009.07.23 |
| 申请人 |
Ｓ Ｏ Ｉ ＴＥＣ绝缘层上矽科技公司 法国 |
发明人 |
福尔 布鲁斯;雷特崔 法布瑞斯;盖纳德 巴斯加;科拉梅斯 麦克;马劳林 梅尔凡;加德拿 纳瑟 |
| 分类号 |
H01L21/324;H01L33/00 |
主分类号 |
H01L21/324 |
| 代理机构 |
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代理人 |
陈展俊 台北市大安区和平东路2段203号4楼之2;林圣富 台北市大安区和平东路2段203号4楼之2 |
| 主权项 |
一种将至少局部松弛应变的材料岛形成在一目标基材上之方法，其包含下列接续进行的步骤：由一中间基材上的应变材料层形成岛；经由第一热处理至少局部松弛该应变材料岛；及将该至少局部松弛应变材料岛转移至该目标基材。 |
| 地址 |
法国 |
