发明名称 电极共平面之发光二极体元件、覆晶式发光二极体封装结构及光反射结构
摘要 一种电极共平面之发光二极体元件、覆晶式发光二极体封装结构及光反射结构,该发光二极体元件包含:一元件基板、一第一型掺杂层、一发光层、一第二型掺杂层、一透明导电金属氧化物层、至少二不同极之电极第一部、一第一透明绝缘层、一第二绝缘层及至少二不同极之电极第二部;其中该第二绝缘层系形成且覆盖在该第一绝缘层及该至少二不同极之电极第一部上,其上表面为一均匀高度之平面,且在该上表面上开设有至少二分开之凹槽供分别对应于该至少二不同极之电极第一部;其中该至少二电极第二部系利用至少一导电金属布满在该至少二分开之凹槽内且分别对应电性连结于该至少二不同之电极第一部而形成至少二不同极之完整电极,且该至少二电极第二部之上表面为共平面;又其中该至少二分开之凹槽之范围能相对地扩大至涵盖该发光层之大部分表面,以使所形成之至少二电极第二部能同时作为该发光层发出之光的反射层;藉此达成提升组装良率、简化制程及降低制作成本之功效。
申请公布号 TWI456800 申请公布日期 2014.10.11
申请号 TW101101530 申请日期 2012.01.16
申请人 茂邦电子有限公司 桃园县芦竹市南山路3段17巷11号 发明人 赖东昇
分类号 H01L33/46;H01L33/04;H01L33/48 主分类号 H01L33/46
代理机构 代理人 黄信嘉 台北市中正区衡阳路36号4楼;谢炜勇 台北市中正区衡阳路36号4楼
主权项 一种电极共平面之发光二极体元件,包含:一元件基板;一第一型掺杂层,其形成且设置在该元件基板上;一第二型掺杂层,其形成且设置在部分之该第一型掺杂层上,其中该第二型掺杂层与该第一型掺杂层之交界面形成一发光层以发出光;一透明导电金属氧化物层,其形成且设置在该第二型掺杂层上供作为欧姆接触层;至少二不同极之电极第一部,其包含:至少一第一电极第一部其形成且设置在该第一型掺杂层上以与该第一型掺杂层电性导通;及至少一第二电极第一部其穿过该透明导电金属氧化物层而形成且设置在该第二型掺杂层上以与该第二型掺杂层电性导通,其中该至少一第一电极第一部及该至少一第二电极第一部之顶面分别位于不同之高度位置;一第一透明绝缘层,其形成且覆盖在该元件基板、该第一型掺杂层、该第二型掺杂层及该透明导电金属氧化物层之表面上,以使该至少一第一电极第一部及该至少一第二电极第一部能由该第一绝缘层向外显露;一第二绝缘层,其形成且覆盖在该第一绝缘层及该至少一第一、第二电极第一部上,该第二绝缘层之上表面为一均匀高度之平面,且该上表面上开设有至少二分开之凹槽以分别对应于该至少一第一及第二电极第一部以使该至少一第一及第二电极第一部可分别透过该至少二分开之凹槽而向外显露,其中该至少二分开之凹槽之凹槽口为共平面;及至少二分开且不同极之电极第二部,包含至少一第一电极第二部及至少一第二电极第二部,其系利用至少一导电金属以形成且分别填满在该至少二分开之凹槽内供分别对应电性连结于该至少一第一电极第一部及该至少一第二电极第一部以形成至少二分开之一体式电极,且该至少二分开之电极第二部之上表面为共平面。
地址 桃园县芦竹市南山路3段17巷11号