垂直式电晶体的制作方法

摘要

一种垂直式电晶体的制作方法，系于形成有沟渠及两支撑部的基材部表面形成一导电层，接着利用回蚀刻制程以非等向蚀刻的方式去除该沟渠之底壁以及该支撑部顶壁的导电层，最后形成一氧化层于该沟渠内，最后藉由蚀刻该导电层而形成两相互不接触的闸极。本发明藉由顺沿该沟渠形成的该导电层，并且利用回蚀刻之选择性蚀刻的优点而避免知蚀刻制程因为侧向蚀刻或蚀刻速率不均，而容易造成的子沟渠状况，解决增加蚀刻时间而增加金属线损坏风险的问题。

主权项

一种垂直式电晶体的制作方法，包含有以下步骤：S1：形成一具有一沟渠的基材部，该基材部具有两相对且间隔一间距的支撑部以形成该沟渠，而该沟渠具有一底壁以及两与该底壁连接的侧壁，该支撑部则具有一远离该底壁的顶壁；S2：覆盖一导电层于该沟渠之表面以及该支撑部之顶壁，其系利用化学气相沉积的方式形成顺沿该沟渠之底壁、侧壁以及该支撑部之顶壁的该导电层；S3：利用回蚀刻制程对该导电层进行单向蚀刻而去除该沟渠之底壁以及该支撑部之顶壁的导电层；S4：形成一氧化部于设置有该导电层的该沟渠内；S5：对该氧化部进行部分蚀刻而停止于一预定高度；S6：蚀刻该导电层至该预定高度，形成两相互不接触的闸极；其中，步骤S4包含以下步骤：S41：设置一防护层于该导电层以及该底壁之表面；S42：于该防护层内填充一氧化材质形成该氧化部；S43：对该氧化部进行退火而硬化该氧化部；S44：利用化学机械研磨使该氧化部平坦化。