发明名称 积体电路装置及其制备方法
摘要 本发明之积体电路装置之一实施例,包含一下晶圆,具有一第一介电区块及一第一导电区块,该第一导电区块设置于该第一介电区块之上;至少一堆叠晶圆,具有一第二介电区块及一第二导电区块,该第二导电区块设置于该第二介电区块之上,其中该堆叠晶圆系以一中间黏着层予以接合该下晶圆之上,且在该下晶圆及该堆叠晶圆之间没有焊垫;以及至少一导电插塞,实质上以直线方式贯穿该堆叠晶圆且深入该下晶圆,其中该导电插塞设置于该第一导电区块及该第二导电区块之内。
申请公布号 TWI456723 申请公布日期 2014.10.11
申请号 TW100108226 申请日期 2011.03.11
申请人 南亚科技股份有限公司 桃园县龟山乡华亚科技园区复兴三路669号 发明人 锺瑞萱
分类号 H01L23/52;H01L21/768 主分类号 H01L23/52
代理机构 代理人 冯博生 台北市松山区敦化北路201号7楼
主权项 一种积体电路装置,包含:一下晶圆,具有一第一介电区块及一第一导电区块,该第一导电区块设置于该第一介电区块之上,其中该第一导电区块包含一基部及一环形侧壁,该环形侧壁设置于该基部之上;至少一堆叠晶圆,具有一第二介电区块及一第二导电区块,该第二导电区块设置于该第二介电区块之上,其中该堆叠晶圆系以一中间黏着层予以接合该下晶圆之上,且在该下晶圆及该堆叠晶圆之间没有焊垫,其中该第二导电区块系呈环形;以及至少一导电插塞,实质上以直线方式贯穿该堆叠晶圆且深入该下晶圆,其中该导电插塞设置于该第一导电区块及该第二导电区块之内。
地址 桃园县龟山乡华亚科技园区复兴三路669号