发明名称 |
积体电路装置及其制备方法 |
摘要 |
本发明之积体电路装置之一实施例,包含一下晶圆,具有一第一介电区块及一第一导电区块,该第一导电区块设置于该第一介电区块之上;至少一堆叠晶圆,具有一第二介电区块及一第二导电区块,该第二导电区块设置于该第二介电区块之上,其中该堆叠晶圆系以一中间黏着层予以接合该下晶圆之上,且在该下晶圆及该堆叠晶圆之间没有焊垫;以及至少一导电插塞,实质上以直线方式贯穿该堆叠晶圆且深入该下晶圆,其中该导电插塞设置于该第一导电区块及该第二导电区块之内。 |
申请公布号 |
TWI456723 |
申请公布日期 |
2014.10.11 |
申请号 |
TW100108226 |
申请日期 |
2011.03.11 |
申请人 |
南亚科技股份有限公司 桃园县龟山乡华亚科技园区复兴三路669号 |
发明人 |
锺瑞萱 |
分类号 |
H01L23/52;H01L21/768 |
主分类号 |
H01L23/52 |
代理机构 |
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代理人 |
冯博生 台北市松山区敦化北路201号7楼 |
主权项 |
一种积体电路装置,包含:一下晶圆,具有一第一介电区块及一第一导电区块,该第一导电区块设置于该第一介电区块之上,其中该第一导电区块包含一基部及一环形侧壁,该环形侧壁设置于该基部之上;至少一堆叠晶圆,具有一第二介电区块及一第二导电区块,该第二导电区块设置于该第二介电区块之上,其中该堆叠晶圆系以一中间黏着层予以接合该下晶圆之上,且在该下晶圆及该堆叠晶圆之间没有焊垫,其中该第二导电区块系呈环形;以及至少一导电插塞,实质上以直线方式贯穿该堆叠晶圆且深入该下晶圆,其中该导电插塞设置于该第一导电区块及该第二导电区块之内。 |
地址 |
桃园县龟山乡华亚科技园区复兴三路669号 |