半导体装置内开口之形成方法

摘要

一种半导体装置内开口之形成方法，包括：提供一半导体基板，该半导体基板具有依序形成于其上之氧化矽层、多晶矽层与氮化矽层；图案化该氮化矽层，形成一第一开口于该氮化矽层内，其中该第一开口露出了该多晶矽之一表面；施行一第一蚀刻程序，使用包括溴化氢、氧气及氟碳化合物(CxFy)之蚀刻气体以形成一第二开口于该多晶矽层内，其中邻近于该第二开口之该多晶矽层之一侧壁大体垂直于该氧化矽层之一顶面，其中该氟碳化合物内之x约介于1-5及y约介于2-8；移除该氮化矽层；以及施行一第二蚀刻程序，形成一第三开口于为该第二开口所露出之该氧化矽层内。

主权项

一种半导体装置内开口之形成方法，包括：提供一半导体基板，该半导体基板具有依序形成于其上之氧化矽层、多晶矽层与氮化矽层；图案化该氮化矽层，形成一第一开口于该氮化矽层内，其中该第一开口露出了该多晶矽之一表面；施行一第一蚀刻程序，使用包括溴化氢、氧气及氟碳化合物(CxFy)之蚀刻气体以形成一第二开口于该多晶矽层内，其中邻近于该第二开口之该多晶矽层之一侧壁大体垂直于该氧化矽层之一顶面，其中该氟碳化合物内之x约介于1-5及y约介于2-8；移除该氮化矽层；以及施行一第二蚀刻程序，形成一第三开口于为该第二开口所露出之该氧化矽层内。