发明名称 |
具有氧矽酸锶型磷光体的发光元件 |
摘要 |
本发明之范例实施例是有关于一种发光元件,其包括氧矽酸锶型磷光体。发光元件包括发光二极体以及磷光体。发光二极体发出在紫外光区或可见光区的光。磷光体配置于发光二极体周围,以吸收发光二极体所发出的光,并发出波长不同于其吸收之光的光。磷光体包括具有一般式Sr3-x-y-zCaxMIIySiO5:Euz的氧矽酸锶磷光体,且钙莫耳分率介于0<x≦0.05的范围内。 |
申请公布号 |
TWI456030 |
申请公布日期 |
2014.10.11 |
申请号 |
TW099144790 |
申请日期 |
2010.12.20 |
申请人 |
首尔半导体股份有限公司 南韩 |
发明人 |
李贞勋;涂斯 瓦特;罗夫 冈朵拉;史塔立克 德特雷夫 |
分类号 |
C09K11/79;C09K11/59;H01L33/00 |
主分类号 |
C09K11/79 |
代理机构 |
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代理人 |
詹铭文 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1 |
主权项 |
一种发光元件,包括:一发光二极体;以及一磷光体,用以吸收该发光二极体所发出之光,并发出波长不同于该吸收光之光,该磷光体具有一般式Sr3-x-y-zCaxMIIySiO5:Euz,其中MII为从镁(Mg)、钡(Ba)、铜(Cu)、锌(Zn)以及锰(Mn)中选出的至少一二价金属离子,0<x0.05、0y0.5以及0<z0.25。 |
地址 |
南韩 |