| 摘要 |
Die Erfindung betrifft einen Prozess zum Herstellen eines Halbleitersubstrats (1), der folgende Schritte umfasst: Vorsehen wenigstens eines Spender-Halbleitersubstrats (2), das wenigstens eine nützliche Siliciumschicht (3) umfasst; Prüfen des Spender-Substrats (2) unter Verwendung einer Prüfmaschine (4), um festzustellen, ob die nützliche Schicht (3) entstehende Hohlräume enthält, deren Größe größer oder gleich einer kritischen Größe ist, wobei die kritische Größe unbedingt kleiner als 44 nm ist; und Herstellen eines Halbleitersubstrats (1), das wenigstens einen Teil der nützlichen Schicht (3) des Spender-Substrats (2) umfasst, wenn hinsichtlich der Hohlräume mit einer Größe, die größer oder gleich der kritischen Größe ist, die Dichte oder die Anzahl der Hohlräume in der nützlichen Schicht (3) des Spender-Substrats (2) kleiner oder gleich einer kritischen Dichte oder Anzahl von Defekten ist. |
