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Eine Membran 33 ist auf einer Oberseite eines Siliziumsubstrats 32 vorgesehen, und eine Platteneinheit 39 ist an der Oberseite des Siliziumsubstrats 32 eine Beweglichelektroden-Dünnschicht unter Einhaltung eines Zwischenraums abdeckend vorgesehen. Eine Platteneinheit 39 besteht aus einem isolierenden Material. Eine Festelektroden-Dünnschicht 40 ist an einer Unterseite der Platteneinheit 39 ausgebildet und die Membran 33 und die Festelektroden-Dünnschicht 40 bilden einen Kondensator. In einem Bereich um die Platteneinheit 39 herum liegt ein gesamter äußerer Umfangsrand der Oberseite des Siliziumsubstrats 32 aus der Platteneinheit 39 frei. Auf der Oberseite des Substrats 32 ist eine Isolationslage 47 aus einem isolierenden Material in einem Teil eines Bereichs ausgebildet, der aus der Platteneinheit 39 freiliegt, und eine Elektrodenanschlussfläche 48, die mit der Membran 33 elektrisch verbunden ist, und eine Elektrodenanschlussfläche 49, die mit der Festelektroden-Dünnschicht 40 elektrisch verbunden ist, sind auf einer Oberseite der Isolationslage 47 vorgesehen. |
