发明名称 |
Seitenerdoxid-Isolierte Halbleiterfinne |
摘要 |
<p>Eine dielektrische Vorlagenschicht wird auf einem Substrat abgeschieden. Leitungsgräben werden innerhalb der dielektrischen Vorlagenschicht durch eine anisotrope Ätzung ausgebildet, die eine strukturierte Maskenschicht einsetzt. Bei der strukturierten Maskenschicht kann es sich um eine strukturierte Photolackschicht oder eine strukturierte Hartmaskenschicht handeln, die durch sonstige Bildübertragungsverfahren ausgebildet wird. Ein unterer Abschnitt jedes Leitungsgrabens wird durch einen selektiven Seltenerdoxid-Epitaxieprozess mit einem epitaktischen Seltenerdoxidmaterial gefüllt. Ein oberer Abschnitt jedes Leitungsgrabens wird durch einen selektiven Halbleiter-Epitaxieprozess mit einem epitaktischen Halbleitermaterial gefüllt. Die dielektrische Vorlagenschicht wird vertieft, um eine dielektrische Materialschicht auszubilden, die eine seitliche elektrische Isolation zwischen Finnenstrukturen bereitstellt, die jeweils einen Stapel aus einem Seltenerdoxid-Finnenabschnitt und einem Halbleiter-Finnenabschnitt beinhalten.</p> |
申请公布号 |
DE112012005252(T5) |
申请公布日期 |
2014.10.09 |
申请号 |
DE20121105252T |
申请日期 |
2012.11.12 |
申请人 |
INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION |
发明人 |
CHENG, KANGGUO;TODI, RAVI M.;ERVIN, JOSEPH;PEI, CHENGWEN;WANG, GENG |
分类号 |
H01L21/336 |
主分类号 |
H01L21/336 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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