| 发明名称 |
Verfahren zum Konvertieren von Halbleiterschichten, derartig hergestellte Halbleiterschichten sowie derartige Halbleiterschichten umfassende elektronische und optoelektronische Erzeugnisse |
| 摘要 |
<p>Verfahren zum Konvertieren von amorphen in kristalline Halbleiterschichten, wobei das Konvertieren durch Behandeln der Halbleiterschicht mit einem Plasma und durch Temperierung bei einer Temperatur zwischen≥150°C und≤500°C erfolgt, wobei das Plasma von einer, mit einer Plasmadüse (1) ausgestatteten Plasmaquelle erzeugt wird.</p> |
| 申请公布号 |
DE102010062386(B4) |
申请公布日期 |
2014.10.09 |
| 申请号 |
DE20101062386 |
申请日期 |
2010.12.03 |
| 申请人 |
EVONIK DEGUSSA GMBH |
发明人 |
STENNER, PATRICK;PATZ, MATTHIAS, DR.;CÖLLE, MICHAEL, DR.;WIEBER, STEPHAN, DR. |
| 分类号 |
H01L21/322;H01L31/18;H05H1/26 |
主分类号 |
H01L21/322 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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