发明名称 |
半导体发光装置及其制造方法 |
摘要 |
本发明的目的在于,提供一种即使对半导体发光元件进行倒装芯片式安装也容易制造的两面发光型的半导体发光装置及其制造方法。半导体发光装置具有:多个引线框架;多个半导体发光元件,其与多个引线框架连接;覆盖构件,其覆盖多个半导体发光元件,多个引线框架之中的一个引线框架的端部与其他的引线框架的端部接近并形成间隙,多个半导体发光元件以跨过间隙的方式被倒装芯片式安装在一个引线框架及其他的引线框架的表面和背面上。 |
申请公布号 |
CN104094426A |
申请公布日期 |
2014.10.08 |
申请号 |
CN201380007815.6 |
申请日期 |
2013.02.01 |
申请人 |
西铁城控股株式会社;西铁城电子株式会社 |
发明人 |
今津健二;和田让 |
分类号 |
H01L33/62(2006.01)I;H01L33/50(2006.01)I;H01L33/60(2006.01)I |
主分类号 |
H01L33/62(2006.01)I |
代理机构 |
上海市华诚律师事务所 31210 |
代理人 |
金玲 |
主权项 |
一种半导体发光装置,其特征在于,在所述半导体发光装置中,具有:多个引线框架;多个半导体发光元件,所述多个半导体发光元件与所述多个引线框架连接;以及覆盖构件,所述覆盖构件覆盖所述多个半导体发光元件,所述多个引线框架之中的一个引线框架的端部与其他的引线框架的端部接近并形成间隙,所述多个半导体发光元件以跨过所述间隙的方式被倒装芯片式安装在所述一个引线框架及所述其他的引线框架的表面和背面上。 |
地址 |
日本东京都西东京市田无町六丁目1番12号 |