一种氮化镓异质结肖特基二极管及其制备方法

摘要

本发明公开了一种氮化镓异质结肖特基二极管，所述二极管包括：衬底、成核层、缓冲层、势垒层、介质钝化层，其中：成核层形成在衬底上；缓冲层和势垒层依次形成在成核层上；势垒层的部分表面形成有欧姆接触和一个或多个凹槽，欧姆接触作为肖特基二极管的阴极；介质钝化层形成在势垒层上，并暴露出凹槽；肖特基接触形成在介质钝化层的表面，作为肖特基二极管的阳极。本发明同时还公开了一种氮化镓异质结肖特基二极管的制备方法。本发明通过刻蚀阻断部分氮化镓异质结沟道二维电子气的凹槽阳极氮化镓异质结肖特基势垒二极管，可同时获得低开启电压、低反向漏电流和高击穿电压的优秀电学特性。

主权项

一种氮化镓异质结肖特基二极管，其特征在于，所述氮化镓异质结肖特基二极管包括：衬底、成核层、缓冲层、势垒层、介质钝化层，其中：所述成核层形成在所述衬底上；所述缓冲层和势垒层依次形成在所述成核层上，进而形成异质结；所述势垒层的部分表面形成有欧姆接触和一个或多个凹槽，所述欧姆接触作为肖特基二极管的阴极；所述介质钝化层形成在所述势垒层上，并暴露出所述凹槽；所述肖特基接触形成在所述介质钝化层的表面，作为肖特基二极管的阳极。