发明名称 场序列液晶显示装置及其驱动方法
摘要 本发明提供了一种场序列液晶显示装置及其驱动方法。该场序列液晶显示装置的像素结构包括:第一、第二、第三、第四薄膜晶体管、帧缓存电容、存储电容以及与存储电容并联的保持电容。其中,第一薄膜晶体管的栅极连接栅线、源极连接数据线、漏极连接第二薄膜晶体管的源极;第二薄膜晶体管的源极连接帧缓存电容的一端、漏极连接第三薄膜晶体管的漏极;帧缓存电容的另一端和第三薄膜晶体管的源极均连接第四薄膜晶体管的漏极,第四薄膜晶体管的源极接地;第二薄膜晶体管的漏极还连接存储电容的一端。本发明提供的场序列液晶显示装置能够解决图像残留问题,且通过改变施加的驱动信号,可实现普通模式显示和Fb模式显示之间的转换。
申请公布号 CN102568405B 申请公布日期 2014.10.08
申请号 CN201010619935.X 申请日期 2010.12.31
申请人 上海天马微电子有限公司 发明人 罗熙曦;马骏;杨康
分类号 G09G3/36(2006.01)I;G02F1/133(2006.01)I 主分类号 G09G3/36(2006.01)I
代理机构 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人 逯长明
主权项 一种场序列液晶显示装置,其特征在于,该装置的像素结构包括:第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、第三薄膜晶体管、第四薄膜晶体管、帧缓存电容、存储电容和保持电容;其中:所述第一薄膜晶体管的栅极连接栅线、源极连接数据线、漏极连接第二薄膜晶体管的源极;所述第二薄膜晶体管的源极连接帧缓存电容的一端、漏极连接第三薄膜晶体管的漏极;所述帧缓存电容的另一端和第三薄膜晶体管的源极均连接第四薄膜晶体管的漏极,所述第四薄膜晶体管的源极接地;所述第二薄膜晶体管的漏极还连接存储电容的一端,所述存储电容的另一端接地,所述存储电容与所述保持电容并联;其中,Fb模式下工作时,在对像素电极充电之前,所述第四薄膜晶体管处于导通状态;普通模式下工作时,所述第四薄膜晶体管处于截止状态。
地址 201201 上海市浦东新区汇庆路889号