半导体制造装置和半导体器件制造方法

摘要

本发明公开了一种半导体制造装置和半导体器件制造方法。所述半导体制造装置包括腔室、传感器、粘附概率计算部、作用部和控制部。在所述腔室中能够布置晶片。传感器检测表示所述腔室内的状态的指标值。粘附概率计算部被构造为根据检测出的所述指标值的值计算粒子粘附到所述腔室的腔室壁上的粘附概率的值。作用部能够改变所述腔室中的粘附概率。控制部被构造为控制所述作用部，使得由所述粘附概率计算部计算出的粘附概率为预定值。因此，通过控制粘附概率，可以将腔室壁维持在所需状态下并使蚀刻速率稳定，因而能够稳定地制造质量良好的半导体器件。

主权项

一种半导体制造装置，所述半导体制造装置包括：腔室，在所述腔室中能够布置晶片；传感器，它检测所述腔室内的发光强度作为表示所述腔室内的状态的指标值；粘附概率计算部，它被构造为根据检测出的所述指标值的值计算粒子粘附到所述腔室的腔室壁上的粘附概率的值；作用部，它能够改变所述腔室中的粘附概率；控制部，它被构造为控制所述作用部，使得由所述粘附概率计算部计算出的粘附概率为预定值；粒子密度计算单元，它通过根据粒子密度的微分方程进行时间发展型仿真来计算粒子密度，所述微分方程包括为多个网格壁中的各个网格壁设定的粘附概率作为参数，所述多个网格壁是通过划分所述腔室壁而设定的；指标值计算部，它被构造为根据计算出的粒子密度计算所述指标值；以及存储部，它被构造为存储使粘附概率与由所述指标值计算部计算出的所述指标值保持相互关联的数据，所述指标值是根据粘附概率从由所述粒子密度计算单元计算出的粒子密度获得的，其中，所述粘附概率计算部通过参照所述数据计算与检测出的所述指标值的值对应的粘附概率的值，所述粒子密度计算单元计算多个网格空间中的各个网格空间的粒子密度，所述多个网格空间是通过划分所述腔室的内部而设定的，所述指标值计算部根据所述多个网格空间中的各个网格空间的粒子密度计算所述多个网格空间中的各个网格空间的发光强度，并且在预定方向上将所述多个网格空间中的各个网格空间的计算出的发光强度积分，由此所述指标值计算部计算出以所述预定方向作为视线方向的发光强度，并且所述传感器检测所述视线方向上的发光强度。