自行对准本体完全隔绝器件

摘要

本发明提供一种器件，其在栅极的第一侧上具有自行对准本体。该自行对准本体有助于达到低漏极-源极导通电阻(Rdson)所需的非常短的沟道长度。该自行对准本体经隔绝，能够将该本体偏压在不同的偏压电位。该器件可经组构成为具有多个晶体管的指状架构，具有共同耦接在一起的源极、共同耦接在一起的栅极以及共同耦接在一起的漏极，以达到高驱动电流输出。

主权项

一种半导体器件的形成方法，包括：设置定义有器件区域的衬底，其中，该器件区域包含具有第一极性类型掺杂物的漂移井；在具有第一极性类型掺杂物的该衬底中形成第一隔绝井；在该第一隔绝井中形成具有第二极性类型掺杂物的第二隔绝井，其中，该第一隔绝井包围该漂移井；在该器件区域中形成晶体管的栅极，该栅极具有第一侧及第二侧；在该栅极的第一侧将第二极性类型掺杂物布植进入该衬底，以在该漂移井内形成本体，其中，该布植是自行对准该栅极，该本体在该栅极的该第一侧上具有长度L的下露部份，其中，该长度L很小，以达到低漏极‑源极导通电阻；形成具有第二极性类型掺杂物的本体连接器，该本体连接器连通在该本体及该第二隔绝井之间；以及在该栅极的该第一侧及第二侧附近的该器件区域中，在该衬底中形成具有第一极性类型掺杂物的第一扩散区域及第二扩散区域，其中，该第一扩散区域位于该本体内，且该第二扩散区域位于该漂移井内。