| 发明名称 | 包括晶体管的半导体装置及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及包括晶体管的半导体装置及其制造方法。本发明的目的之一在于在具有氧化物半导体层的晶体管或具有该晶体管的半导体装置中抑制电特性的退化。在将氧化物半导体用作沟道层的晶体管中，接触于氧化物半导体层的表面地设置有p型硅层。另外，至少接触于氧化物半导体层中的形成沟道的区域地设置有p型硅层，而且接触于氧化物半导体层中的不设置有p型硅层的区域地设置有源电极层及漏电极层。 | ||
| 申请公布号 | CN101840936B | 申请公布日期 | 2014.10.08 |
| 申请号 | CN201010118843.3 | 申请日期 | 2010.02.03 |
| 申请人 | 株式会社半导体能源研究所 | 发明人 | 坂田淳一郎;乡户宏充;岛津贵志 |
| 分类号 | H01L29/786(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/786(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 朱海煜;徐予红 |
| 主权项 | 一种半导体装置，包括：栅电极；设置在所述栅电极上的栅极绝缘层；设置在所述栅极绝缘层上且重叠于所述栅电极的氧化物半导体层；设置在所述氧化物半导体层的表面上且接触于所述氧化物半导体层的表面的硅层；以及电连接于所述氧化物半导体层的源电极层及漏电极层，其中所述硅层具有p型导电性。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县厚木市 | ||