发明名称 |
一种刻蚀液储液装置及湿法刻蚀设备 |
摘要 |
本发明的实施例提供一种刻蚀液储液装置及湿法刻蚀设备,涉及显示技术领域,可降低刻蚀液中杂质离子的浓度,避免刻蚀液的频繁更换,从而保证刻蚀工艺的稳定性,同时还能延长刻蚀液的使用寿命,从而降低成本;所述刻蚀液储液装置包括刻蚀液存储罐、用于将刻蚀液中的离子进行选择性透过的离子交换膜、以及位于所述离子交换膜两侧的阳极和阴极;其中,所述离子交换膜与所述阳极之间构成第一腔室,所述离子交换膜与所述阴极之间构成第二腔室;用于湿法刻蚀设备的制造。 |
申请公布号 |
CN104087938A |
申请公布日期 |
2014.10.08 |
申请号 |
CN201410273131.7 |
申请日期 |
2014.06.18 |
申请人 |
京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司 |
发明人 |
李梁梁;郭总杰;丁向前;刘耀;白金超 |
分类号 |
C23F1/08(2006.01)I |
主分类号 |
C23F1/08(2006.01)I |
代理机构 |
北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 |
代理人 |
申健 |
主权项 |
一种刻蚀液储液装置,其特征在于,所述刻蚀液储液装置包括刻蚀液存储罐、用于将刻蚀液中的离子进行选择性透过的离子交换膜、以及位于所述离子交换膜两侧的阳极和阴极;其中,所述离子交换膜与所述阳极之间构成第一腔室,所述离子交换膜与所述阴极之间构成第二腔室。 |
地址 |
100015 北京市朝阳区酒仙桥路10号 |