发明名称 半导体钙钛矿太阳能电池及其制备方法
摘要 半导体钙钛矿太阳能电池及其制备方法,本发明属于太阳能电池领域,解决现有钙钛矿太阳能电池材料昂贵、工艺复杂的问题,同时保持较高的光电转换效率。本发明的一种半导体钙钛矿太阳能电池,自下而上依次包括基底、导电层、空穴阻挡层、介孔电子收集层、介孔空穴收集层、介孔背电极层,其制备方法包括制备电极区、制备空穴阻挡层、制备介孔电子收集层、制备介孔空穴收集层、制备介孔背电极层和充斥钙钛矿吸光材料步骤;本发明的另一种半导体钙钛矿太阳能电池,增加了介孔绝缘层,其制备方法相应增加制备介孔绝缘层步骤。本发明解决了现有钙钛矿太阳能电池的材料昂贵、工艺复杂的问题;在电池的开路电压、短路电流和填充因子几方面都有提高。
申请公布号 CN104091889A 申请公布日期 2014.10.08
申请号 CN201410357461.4 申请日期 2014.07.24
申请人 华中科技大学 发明人 赵志新;刘宗豪;张蒙
分类号 H01L51/42(2006.01)I;H01L51/44(2006.01)I;H01L51/46(2006.01)I;H01L51/48(2006.01)I 主分类号 H01L51/42(2006.01)I
代理机构 武汉东喻专利代理事务所(普通合伙) 42224 代理人 李佑宏
主权项 一种半导体钙钛矿太阳能电池,其特征在于:其自下而上依次包括基底(1)、导电层(2)、空穴阻挡层(3)、介孔电子收集层(4)、介孔空穴收集层(5)、介孔背电极层(6);所述基底(1)表面覆盖导电层(2),导电层(2)被刻蚀槽(2‑1)分成对电极区(2‑2)和工作电极区(2‑3),所述空穴阻挡层(3)覆盖所述工作电极区(2‑3)表面,所述介孔电子收集层(4)位于空穴阻挡层(3)表面;所述介孔空穴收集层(5)位于介孔电子收集层(4)表面,部分介孔空穴收集层(5)位于所述刻蚀槽(2‑1)内,以将介孔背电极层(6)和介孔电子收集层(4)隔离,防止短路;所述介孔背电极层(6)为条形,位于介孔空穴收集层(5)表面,并与所述对电极区(2‑2)接触;所述基底为玻璃;导电层为氧化铟锡或者掺杂氟的SnO<sub>2</sub>,氧化铟锡和基底构成氧化铟锡导电玻璃,掺杂氟的SnO<sub>2</sub>和基底构成掺杂氟的SnO<sub>2</sub>导电玻璃;空穴阻挡层(3)为致密二氧化钛层;介孔电子收集层(4)由二氧化钛纳米颗粒、氧化锌纳米颗粒或氧化锡纳米颗粒构成;介孔空穴收集层(5)由氧化镍纳米颗粒、氧化钼纳米颗粒、CuCrO<sub>2</sub>纳米颗粒、CuGaO<sub>2</sub>纳米颗粒或CuAlO<sub>2</sub>纳米颗粒构成;介孔背电极层(6)由碳黑纳米颗粒、石墨粉和粘结剂混合构成;所述介孔电子收集层(4)的纳米颗粒之间和介孔空穴收集层(5)的纳米颗粒之间充斥钙钛矿吸光材料。
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