| 发明名称 | 一种制备高效铸锭多晶的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种制备高效铸锭多晶的方法，其包含如下步骤：（a）提供一硅片，作为软模板；（b）对硅片双面进行清洗和去损伤层处理；（c）在硅片的单面制备高熔点的含硅薄膜，作为硬模板；其中，含硅薄膜的熔点高于硅熔点，并且含硅薄膜与硅片的界面保持了硅片表面原子的有序排列；（d）将生有含硅薄膜的硅片倒扣在生长容器底部，其含硅薄膜面朝向生长容器底部，在其非含硅薄膜面上堆放硅原料。本发明通过合理制备诱导薄膜来诱导铸锭多晶硅的生长，从而得到低缺陷密度的高效铸锭多晶产品，工艺简单。 | ||
| 申请公布号 | CN104088013A | 申请公布日期 | 2014.10.08 |
| 申请号 | CN201410337376.1 | 申请日期 | 2014.07.15 |
| 申请人 | 常州天合光能有限公司 | 发明人 | 熊震;叶宏亮 |
| 分类号 | C30B28/06(2006.01)I;C30B29/06(2006.01)I | 主分类号 | C30B28/06(2006.01)I |
| 代理机构 | 常州市科谊专利代理事务所 32225 | 代理人 | 孙彬 |
| 主权项 | 一种制备高效铸锭多晶的方法，其特征在于，其包含如下步骤：(a)提供一硅片，作为软模板；(b)对硅片双面进行清洗和去损伤层处理；(c)在硅片的单面制备高熔点的含硅薄膜，作为硬模板；其中，含硅薄膜的熔点高于硅熔点，并且含硅薄膜与硅片的界面保持了硅片表面原子的有序排列；(d)将生有含硅薄膜的硅片倒扣在生长容器底部，其含硅薄膜面朝向生长容器底部，在其非含硅薄膜面上堆放硅原料。 | ||
| 地址 | 213022 江苏省常州市新北区电子产业园天合路2号 | ||