发明名称 |
具单胞失效自防护功能的多胞连接大功率光电器件 |
摘要 |
本发明公开了一种具单胞失效自防护功能的多胞连接大功率光电器件,涉及半导体光电领域。该光电器件的芯片被分隔成至少2个单胞,每个单胞的阳极引线、阴极引线与对应极性的总引出电极相连,其特征在于:每个单胞与总引出电极之间的电极引线中串接至少一个可熔断电阻,所述可熔断电阻是指由电流热效应引起的温度升高达到并超过自身熔点,熔断造成电学隔离的电阻。本发明通过在单胞与总引出电极之间串接入可熔断电阻,对光电器件内任一单胞的异常短路失效能够快速、及时地做出电学隔离反应,消除了单胞失效对器件其他部分的影响,提高了光电器件的整体稳定性和可靠性。 |
申请公布号 |
CN101645441B |
申请公布日期 |
2014.10.08 |
申请号 |
CN200910027433.5 |
申请日期 |
2009.05.06 |
申请人 |
中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
发明人 |
蔡勇 |
分类号 |
H01L25/075(2006.01)I;H01S3/23(2006.01)I;H01L23/62(2006.01)I;H01L23/48(2006.01)I |
主分类号 |
H01L25/075(2006.01)I |
代理机构 |
北京华夏博通专利事务所(普通合伙) 11264 |
代理人 |
孙东风;王锋 |
主权项 |
具单胞失效自防护功能的多胞连接大功率光电器件,其中,所述光电器件的芯片有源区被分隔成至少2个单胞,每个单胞的阳极引线、阴极引线与对应极性的总引出电极相连,每个单胞与总引出电极之间的电极引线中串接有至少一个可熔断电阻,使得当所述至少2个单胞中的一个或多个单胞发生短路时,与所述一个或多个单胞相串接的可熔断电阻因电流热效应引起的温度升高达到并超过自身熔点而产生熔断,造成所述一个或多个单胞与所述总引出电极之间的电学隔离,以避免与所述一个或多个单胞对应的短路点扩展蔓延到所述光电器件的芯片有源区的除所述一个或多个单胞之外的其他单胞。 |
地址 |
215123 江苏省苏州市工业园区若水路398号 |