| 发明名称 | 高电流高电压GaN场效应晶体管及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种场效应晶体管(FET)具有与沟道层接触的源极接点、与沟道层接触的漏极接点、以及在沟道层之上的势垒层上的栅极接点，该FET包括：在源极接点和漏极接点之间的势垒层上并且覆盖栅极接点的电介质层；以及在电介质层上的场板，该场板连接至源极接点并且延伸超过栅极接点和漏极接点之间区域，并且该场板包含位于栅极接点和漏极接点之间区域的倾斜侧壁。 | ||
| 申请公布号 | CN104094408A | 申请公布日期 | 2014.10.08 |
| 申请号 | CN201280059254.X | 申请日期 | 2012.05.15 |
| 申请人 | HRL实验室有限责任公司 | 发明人 | 储荣明;李紫剑;卡里姆·S·保特罗斯;肖恩·伯纳姆 |
| 分类号 | H01L29/778(2006.01)I;H01L21/335(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/778(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人 | 陈源;崔利梅 |
| 主权项 | 一种场效应晶体管(FET)，具有与沟道层接触的源极接点、与沟道层接触的漏极接点、以及在沟道层之上的势垒层上的栅极接点，所述FET包括：在源极接点和漏极接点之间的势垒层上并且覆盖栅极接点的电介质层；以及在所述电介质层上的场板，所述场板连接至所述源极接点并且延伸超过所述栅极接点和所述漏极接点之间区域，并且所述场板包含位于所述栅极接点和所述漏极接点之间区域的倾斜侧壁。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||