半导体装置及半导体装置的制造方法

摘要

本发明提供一种半导体装置及半导体装置的制造方法。半导体装置(1)具有：第二氧化膜(9)及焊盘电极(5)，其位于在半导体基板(2)的表面(2a)形成的第一氧化膜(8)上；接触电极(6)及第一势垒层(7)，其形成于第二氧化膜中且与焊盘电极连接；硅化物部(10)，其形成于接触电极和贯通电极层(12)之间且与接触电极及第一势垒层连接；通孔(11)，其自半导体基板的背面(2b)到达硅化物部及第二氧化膜；第三氧化膜(13)，其在通孔的侧壁及半导体基板的背面形成；第二势垒层(14)及再配线层(15)，其在通孔的内部及半导体基板的背面形成且与硅化物部连接。

主权项

一种半导体装置的制造方法，其特征在于，在半导体基板的表面形成第一绝缘膜，在所述第一绝缘膜中依次形成硅化物层、势垒层、以及接触电极，使得在制造好的半导体装置中所述接触电极被所述势垒层覆盖且所述硅化物层经由所述势垒层与所述接触电极连接，将所述第一绝缘膜和所述硅化物层作为蚀刻停止层从所述半导体基板的背面朝向所述表面进行蚀刻而形成通孔，在所述通孔的侧壁和底面以及所述半导体基板的所述背面形成第二绝缘膜，在蚀刻所述第二绝缘膜而使所述通孔内的所述硅化物层和所述第一绝缘膜露出之后，在所述通孔的所述侧壁上的所述第二绝缘膜、所述半导体基板的所述背面上的所述第二绝缘膜、所述通孔的底面的所述第一绝缘膜以及所述硅化物层上形成贯通电极层。