半导体结构

摘要

本发明涉及一种结构，该结构包括通过烧结硅粉形成的第一层和由单晶硅制成的第二层，并且该结构在第一层和第二层之间包括或者不包括扩散势垒层或绝缘层。本发明可以用于光伏工业和各种领域，例如，电子学、微电子学、光学和光电子学领域。

主权项

一种半导体结构（1,30,40），其包括通过烧结硅粉形成的第一层（2,32,42）和由单晶硅制成的第二层（4,34,44），其中，第一层具有多孔沟槽，所述多孔沟槽包含掺杂剂或导电物质。