一种相变存储器加热电极及相变存储器

摘要

本实用新型提供一种相变存储器，具体地说是通过以纳米锥阵列为模板制备纳米阵列加热电极，从而减小加热电极的实际有效面积，减小加热电极与相变材料的接触面积，提高加热电流密度。从而就避免了直接制备纳米加热电极(100nm以下)的困难，降低制造成本，更重要的是降低了相变存储器的功耗。

主权项

一种相变存储器，其特征在于，包括：衬底；纳米锥模板，形成于所述衬底上，所述纳米锥模板包括至少一个锥体；金属薄膜，覆盖于所述纳米锥模板上，位于所述每个锥体表面的金属薄膜构成一加热电极；绝缘介质层，形成于所述金属薄膜上，定义所述加热电极的顶端为接触端，该接触端曝露在所述绝缘介质层的上方；相变材料层，与所述加热电极的接触端接触。