发明名称 有机发光二极管基板及其制作方法、显示装置
摘要 本发明提供了一种有机发光二极管基板及其制作方法、显示装置,通过使子像素所在位置处的空穴传输层由N层子空穴传输层构成,其中,第N个子像素所在位置处的空穴传输层包括N层子空穴传输层,第N个子像素所在位置处所包括的子空穴传输层覆盖所在位置处的空穴传输层厚度比所述第N个子像素所在位置处的空穴传输层厚度高的子像素在空穴传输层中的所在位置区域,以形成共用子空穴传输层;所述N层子空穴传输层中,除位于最高层的子空穴传输层采用精细金属掩膜蒸镀工艺制作以外,其他子空穴传输层采用共用掩膜蒸镀工艺制作。从而可提高有机发光二极管基板的制作效率,降低有机发光二极管的制作成本。
申请公布号 CN104091895A 申请公布日期 2014.10.08
申请号 CN201410307522.6 申请日期 2014.06.30
申请人 京东方科技集团股份有限公司;鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司 发明人 马群;元裕太;闵天圭
分类号 H01L51/52(2006.01)I;H01L51/56(2006.01)I;H01L27/32(2006.01)I 主分类号 H01L51/52(2006.01)I
代理机构 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 代理人 许静;黄灿
主权项 一种有机发光二极管基板,包括多个像素单元,所述像素单元中包括N个子像素,所述N为大于等于1的正整数,每个子像素所在位置处的空穴传输层具有不同的厚度,其特征在于:所述空穴传输层由N层子空穴传输层构成,其中,第N个子像素所在位置处的空穴传输层包括N层子空穴传输层,第N个子像素位置处所包括的子空穴传输层覆盖所在位置处的空穴传输层厚度比所述第N个子像素所在位置处的空穴传输层厚度高的子像素在空穴传输层中的所在位置区域,以形成共用子空穴传输层;所述N层子空穴传输层中,除位于最高层的子空穴传输层采用精细金属掩膜蒸镀工艺制作以外,其他子空穴传输层采用共用掩膜蒸镀工艺制作。
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