发明名称 |
热致发声元件的制备方法 |
摘要 |
一种热致发声元件的制备方法,其包括以下步骤:提供一金属基体,该金属基体具有一第一表面和与该第一表面相对的第二表面;采用化学气相沉积法在所述金属基体的第一表面生长石墨烯膜;提供一非金属基体,该非金属基体具有一第一表面和与该第一表面相对的第二表面;将所述金属基体和所述石墨烯膜设置于所述非金属基体的第一表面,所述石墨烯膜位于所述金属基体和所述非金属基体的第一表面之间;至少部分除去所述金属基体;从所述非金属基体的第二表面将所述非金属基体镂空,使所述非金属基体含有多个通孔,所述石墨烯膜对应所述通孔的部位暴露出来。 |
申请公布号 |
CN102802109B |
申请公布日期 |
2014.10.08 |
申请号 |
CN201110140260.5 |
申请日期 |
2011.05.27 |
申请人 |
清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 |
发明人 |
姜开利;林晓阳;肖林;范守善 |
分类号 |
H04R31/00(2006.01)I |
主分类号 |
H04R31/00(2006.01)I |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
一种热致发声元件的制备方法,其包括以下步骤:提供一金属基体,该金属基体具有一第一表面和与该第一表面相对的第二表面;采用化学气相沉积法在所述金属基体的第一表面生长石墨烯膜;提供一非金属基体,该非金属基体具有一第一表面和与该第一表面相对的第二表面;将所述金属基体和所述石墨烯膜设置于所述非金属基体的第一表面,所述石墨烯膜位于所述金属基体和所述非金属基体的第一表面之间;至少部分除去所述金属基体;以及从所述非金属基体的第二表面将所述非金属基体镂空,使所述非金属基体含有至少一个通孔,所述石墨烯膜对应所述通孔的部位暴露出来。 |
地址 |
100084 北京市海淀区清华大学清华-富士康纳米科技研究中心401室 |