发明名称 热致发声元件的制备方法
摘要 一种热致发声元件的制备方法,其包括以下步骤:提供一金属基体,该金属基体具有一第一表面和与该第一表面相对的第二表面;采用化学气相沉积法在所述金属基体的第一表面生长石墨烯膜;提供一非金属基体,该非金属基体具有一第一表面和与该第一表面相对的第二表面;将所述金属基体和所述石墨烯膜设置于所述非金属基体的第一表面,所述石墨烯膜位于所述金属基体和所述非金属基体的第一表面之间;至少部分除去所述金属基体;从所述非金属基体的第二表面将所述非金属基体镂空,使所述非金属基体含有多个通孔,所述石墨烯膜对应所述通孔的部位暴露出来。
申请公布号 CN102802109B 申请公布日期 2014.10.08
申请号 CN201110140260.5 申请日期 2011.05.27
申请人 清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 发明人 姜开利;林晓阳;肖林;范守善
分类号 H04R31/00(2006.01)I 主分类号 H04R31/00(2006.01)I
代理机构 代理人
主权项 一种热致发声元件的制备方法,其包括以下步骤:提供一金属基体,该金属基体具有一第一表面和与该第一表面相对的第二表面;采用化学气相沉积法在所述金属基体的第一表面生长石墨烯膜;提供一非金属基体,该非金属基体具有一第一表面和与该第一表面相对的第二表面;将所述金属基体和所述石墨烯膜设置于所述非金属基体的第一表面,所述石墨烯膜位于所述金属基体和所述非金属基体的第一表面之间;至少部分除去所述金属基体;以及从所述非金属基体的第二表面将所述非金属基体镂空,使所述非金属基体含有至少一个通孔,所述石墨烯膜对应所述通孔的部位暴露出来。
地址 100084 北京市海淀区清华大学清华-富士康纳米科技研究中心401室