一种EEPROM工艺中的抗辐照栅氧化层的制作方法

摘要

本发明公开了一种EEPROM工艺中的抗辐照栅氧化层的制作方法，通过采用P型硅作为衬底材料，以ONO介质层作为EEPROM的存储浮栅极与控制栅极的隔离层，并将ONO层同时作为外围电路高压管的栅氧化层，而对外围电路低压管仍采用普通栅氧化层，实现可以减少一次光刻工艺，极大地简化工艺制程，降低制作的成本；并且，将ONO层作为高压管栅氧化层，还可以提高高压管的抗辐照能力。

主权项

一种EEPROM工艺中的抗辐照栅氧化层的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一：提供一半导体硅衬底，所述衬底上包括隔离开的经注入后的MOS低压管区、EEPROM存储管区以及MOS高压管区；步骤二：在所述衬底上沉积存储管栅氧化层，然后，在存储管的漏区上方开出隧穿窗口，沉积隧穿氧化层；步骤三：沉积多晶硅层作为存储管的浮栅极，并对多晶硅层进行光刻、刻蚀、清洗，然后，依次沉积第一氧化物层、氮化硅层、第二氧化物层，形成ONO介质层；步骤四：进行ONO层光刻，并用光刻胶覆盖需要保留的存储管区及高压管区的ONO层，露出需要刻蚀掉的低压管区的ONO层，然后，刻蚀ONO层；步骤五：沉积一层氧化物，作为低压管的栅氧化层。