一种基于环栅MOSFET结构的太赫兹传感器

摘要

本发明涉及一种环栅MOSFET结构太赫兹信号传感器。环栅MOSFET结构的栅极弯曲围绕源极形成环状，漏极分布在外围。相比传统的直栅MOSFET结构，环栅结构缩小了源极面积，减小了源端寄生电容。在探测太赫兹波段时，环栅MOSFET结构比等效的直栅MOSFET结构能得到更大的电压响应R_V和更小的噪声等效功率NEP。

主权项

一种基于环栅MOSFET结构的太赫兹传感器，其特征在于：包括环栅MOSFET结构，所述环栅MOSFET结构包括一个在中心位置的源极、环绕着源极的弯曲的栅极以及在栅极外围的漏极。