| 发明名称 | 用于制造光电子器件的方法和光电子器件 | ||
| 摘要 | 一种用于制造光电子器件(200)的方法，所述方法能够具有：将平坦化介质(104)施加到衬底(102)的表面上，其中平坦化介质(104)具有材料(106)，所述材料吸收波长最大为600nm的电磁辐射；在材料(106)上或上方施加第一电极(112)；在第一电极(112)上或上方形成有机功能层结构(114)；并且在有机功能层结构(114)上或上方形成第二电极(116)。 | ||
| 申请公布号 | CN104094438A | 申请公布日期 | 2014.10.08 |
| 申请号 | CN201380007742.0 | 申请日期 | 2013.01.31 |
| 申请人 | 欧司朗光电半导体有限公司 | 发明人 | 托马斯·多贝廷;本亚明·克鲁马赫尔;蒂洛·罗伊施;西蒙·希克坦茨;斯蒂芬·赛德尔;丹尼尔·斯特芬·塞茨;托马斯·韦卢斯 |
| 分类号 | H01L51/52(2006.01)I | 主分类号 | H01L51/52(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 丁永凡;张春水 |
| 主权项 | 一种用于制造光电子器件(200)的方法，其中所述方法具有：·将平坦化介质(104)施加到衬底(102)的表面上，其中所述平坦化介质(104)具有材料(106)，所述材料吸收波长最大为600nm的电磁辐射；·在所述材料(106)上或上方施加第一电极(112)；·在所述第一电极(112)上或上方形成有机功能层结构(114)；并且·在所述有机功能层结构(114)上或上方形成第二电极(116)。 | ||
| 地址 | 德国雷根斯堡 | ||