一种自对准栅极结构纳米线冷阴极电子源阵列的制作方法及其结构

摘要

本发明公开了一种自对准栅极结构纳米线冷阴极电子源阵列的制作方法，通过一次光刻定位栅极槽和纳米冷阴极的生长区域，实现纳米线冷阴极与栅极电极和阴栅极之间的绝缘层的对准，并自动形成可以防止阴极和栅极之间短路和电学击穿的绝缘层台阶。本方法可以降低工艺难度，提高器件的制作成品率，并提高栅极结构纳米线冷阴极电子源的工作特性。

主权项

一种自对准栅极结构纳米线冷阴极电子源阵列的制作方法，其制作步骤依次包括：a)清洁衬底；b)在衬底上制作阴极电极条；c)在阴极电极条上制作绝缘层；d)在绝缘层上制作若干列与阴极电极条交叉垂直的栅极电极条；e)在栅极电极条外覆盖一层光刻胶后利用一次光刻定位纳米冷阴极生长区域；f)在生长区域内刻蚀绝缘层以暴露出底部阴极电极条；g)保留刻蚀后剩余光刻胶层，然后镀起始生长源薄膜；h)采用剥离方法得到用于纳米线冷阴极生长的生长源薄膜；i)采用直接氧化法从生长源薄膜阵列生长得到纳米线冷阴极。