| 发明名称 | 绝缘体上硅制品的制造方法 | ||
| 摘要 | 一种制造绝缘体上硅制品的方法，该方法包括：形成热连接至第一硅衬底的第一氮化铝层；形成热连接至第二硅衬底的第二氮化铝层，第二衬底至少包括硅表面层；将第一和第二衬底的第一和第二氮化铝层结合在一起使得第一和第二氮化铝层被布置在第一和第二衬底之间；以及移除第二衬底的大部分以留下通过第一和第二氮化铝层与第一硅衬底电绝缘但热连接至第一硅衬底的硅层。 | ||
| 申请公布号 | CN104094399A | 申请公布日期 | 2014.10.08 |
| 申请号 | CN201280054147.8 | 申请日期 | 2012.11.02 |
| 申请人 | 斯兰纳私人集团有限公司 | 发明人 | 安德鲁·约翰·布劳利;佩塔尔·布兰科·阿塔纳茨科维奇;安德鲁·约翰·布莱克;林永超 |
| 分类号 | H01L21/84(2006.01)I;H01L21/20(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/84(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人 | 余刚;张英 |
| 主权项 | 一种制造绝缘体上硅制品的方法，所述方法包括：形成热连接至第一硅衬底的第一氮化铝层；形成热连接至第二硅衬底的第二氮化铝层，所述第二衬底至少包括硅表面层；将所述第一衬底和所述第二衬底的所述第一氮化铝层和所述第二氮化铝层结合在一起，使得所述第一氮化铝层和所述第二氮化铝层被布置在所述第一衬底和所述第二衬底之间；以及移除所述第二衬底的大部分以留下通过所述第一氮化铝层和所述第二氮化铝层与所述第一硅衬底电绝缘但热连接至所述第一硅衬底的硅层。 | ||
| 地址 | 澳大利亚昆士兰州 | ||