发明名称 |
薄膜层叠体 |
摘要 |
本发明的薄膜层叠体特征在于,在树脂基体上以第1层、第2层的顺序依次形成的薄膜层叠体中,第1层是有机无机复合薄膜,膜厚为500nm以上,其含有a)R<sub>n</sub>SiX<sub>4-n</sub>表示的有机硅化合物的缩合物及b)有机高分子化合物;第2层是下述a)金属氧化物薄膜或b)气体阻隔膜:a)金属氧化物薄膜,其利用溶胶凝胶法形成,膜厚为200nm以下,并且,以式{膜厚的偏差[%]=100×(膜厚的标准偏差)/(膜厚的平均值)}表示的膜厚的偏差小于10%,b)气体阻隔膜,膜厚为500nm以下;并且,第1层在与第2层的界面侧具有上述有机硅化合物的缩合物浓缩而成的层,该浓缩层的碳原子的浓度与距第1层与第2层的界面深300nm处的第1层的碳原子的浓度相比少20%以上。 |
申请公布号 |
CN104093560A |
申请公布日期 |
2014.10.08 |
申请号 |
CN201380007697.9 |
申请日期 |
2013.01.25 |
申请人 |
日本曹达株式会社 |
发明人 |
芝田大干;熊泽和久;木村信夫 |
分类号 |
B32B9/04(2006.01)I;C08J7/04(2006.01)I |
主分类号 |
B32B9/04(2006.01)I |
代理机构 |
北京市金杜律师事务所 11256 |
代理人 |
杨宏军;王大方 |
主权项 |
一种薄膜层叠体,其特征在于,在树脂基体上以第1层、第2层的顺序形成的薄膜层叠体中,第1层是膜厚为500nm以上的有机无机复合薄膜,所述第1层含有:a)式(I)表示的有机硅化合物的缩合物,以及,b)有机高分子化合物,R<sub>n</sub>SiX<sub>4-n</sub> (I)式中,R表示碳原子直接键合在Si上的有机基团,X表示羟基或水解性基团,n表示1或2,n为2时各R可以相同也可以不同,(4-n)为2以上时各X可以相同也可以不同,第2层是下述a)金属氧化物薄膜或下述b)气体阻隔膜,a)金属氧化物薄膜,所述金属氧化物薄膜利用溶胶凝胶法形成,膜厚为200nm以下,并且,以下式表示的膜厚的偏差小于10%,膜厚的偏差[%]=100×(膜厚的标准偏差)/(膜厚的平均值)b)气体阻隔膜,所述气体阻隔膜的膜厚为500nm以下,并且,第1层在与第2层的界面侧具有式(I)表示的有机硅化合物的缩合物浓缩而成的浓缩层,所述浓缩层的碳原子的浓度与距第1层与第2层的界面深300nm处的第1层的碳原子的浓度相比少20%以上。 |
地址 |
日本东京都 |