| 发明名称 | 降低闩锁效应的功率器件结构及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种降低闩锁效应的功率器件结构：包括：具有一个耐高压的第一型半导体衬底区，其上的第二型半导体基区与第一型半导体源区，漏区从背面引出；在硅片正面，有一个埋入体内的沟槽，为第二型半导体多晶硅，通过栅氧隔离与源区和基区相连，通过侧墙与源区隔离；在基区埋入一个第二型半导体多晶硅，与基区和源区相连；埋入的多晶硅通过金属硅化物与源区相连。本发明缩小元胞面积，降低闩锁效应，降低制造成本。 | ||
| 申请公布号 | CN102412249B | 申请公布日期 | 2014.10.08 |
| 申请号 | CN201110310518.1 | 申请日期 | 2011.10.13 |
| 申请人 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 发明人 | 王雷 |
| 分类号 | H01L27/02(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L21/822(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人 | 孙大为 |
| 主权项 | 一种降低闩锁效应的功率器件结构：其特征在于，包括：具有一个耐高压的第一型半导体衬底区，其上的第二型半导体基区与第一型半导体源区，漏区从背面引出；在硅片正面，有一个埋入体内的沟槽，填充第二型半导体多晶硅，通过栅氧隔离与源区和基区相连，通过侧墙与源区隔离；在基区埋入一个第二型半导体多晶硅，与基区和源区相连；埋入的多晶硅通过金属硅化物与源区相连。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号 | ||