提高锗硅工艺中光刻对准精度的方法

摘要

本发明公开了一种提高锗硅工艺中光刻对准精度的方法，其为在进行锗硅薄膜生长之前，去除光刻对准标记区域中位于硅衬底上的膜层。本发明的方法，使光刻对准区域的锗硅薄膜直接生长在硅衬底上，以提高光刻对准精度。

主权项

一种提高锗硅工艺中光刻对准精度的方法，其特征在于：在进行锗硅薄膜生长之前，去除光刻对准标记区域中位于硅衬底上的膜层，所述膜层为光刻对准标记形成后、所述锗硅薄膜生长前所形成的所有膜层；在所述锗硅薄膜生长后，在所述光刻对准标记区域内所述锗硅薄膜和硅衬底表面直接接触、在所述光刻对照标记区域外所述锗硅薄膜位于未被去除的所述膜层表面上，通过所述光刻对准标记区域内的所述锗硅薄膜直接形成于所述硅衬底表面上提高所述光刻对准标记区域内的所述锗硅薄膜表面的平滑度，从而提高所述光刻对准标记的信号强度。