发明名称 |
PROCEDE D'ELABORATION D'UN MASQUE DE PHOTOLITOGRAPHIE DESTINE A LA FORMATION DE CONTACTS, MASQUE ET CIRCUIT INTEGRE CORRESPONDANTS |
摘要 |
Procédé d'élaboration d'un masque de photolithographie destiné à la formation de plots de contact électriquement conducteurs entre des pistes d'un niveau de métallisation et des zones électriquement actives de circuits intégrés réalisés dans et sur une plaquette semi-conductrice, comprenant une élaboration (10) d'une première région de masque (RM1) comportant des premières zones d'ouvertures (30) destinées à la formation desdits plots de contact et possédant un premier taux d'ouverture inférieur à une valeur seuil, et une élaboration (11) d'une deuxième région de masque (RM2) comportant des zones d'ouvertures supplémentaires, le taux global d'ouverture dudit masque (MQ) étant supérieur ou égal à ladite valeur seuil. |
申请公布号 |
FR3003962(A1) |
申请公布日期 |
2014.10.03 |
申请号 |
FR20130052894 |
申请日期 |
2013.03.29 |
申请人 |
STMICROELECTRONICS (ROUSSET) SAS |
发明人 |
BOUTON GUILHEM;REGNIER PATRICK |
分类号 |
G03F1/70 |
主分类号 |
G03F1/70 |
代理机构 |
|
代理人 |
|
主权项 |
|
地址 |
|