发明名称 |
Halbleitergehäuse mit mehreren Ebenen |
摘要 |
<p>Ein Halbleitergehäuse umfasst ein Halbleiterplättchen mit einer ersten Elektrode auf einer ersten Seite und einer zweiten Elektrode auf einer zweiten Seite gegenüber der ersten Seite, eine erste Leitung unter dem Halbleiterplättchen und verbunden mit der ersten Elektrode auf einer ersten Ebene des Gehäuses, und eine zweite Leitung, die eine größere Höhe als die erste Leitung aufweist und auf einer zweiten Ebene im Gehäuse über der ersten Ebene abschließt, wobei die zweite Ebene einer Höhe des Halbleiterplättchens entspricht. Ein Verbinder einer durchgehenden planaren Einzelkonstruktion über dem Halbleiterplättchen und der zweiten Leitung ist sowohl mit der zweiten Elektrode als auch der zweiten Leitung auf der gleichen zweiten Ebene des Gehäuses verbunden.</p> |
申请公布号 |
DE102014104497(A1) |
申请公布日期 |
2014.10.02 |
申请号 |
DE201410104497 |
申请日期 |
2014.03.31 |
申请人 |
INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG |
发明人 |
OTREMBA, RALF;HÖGLAUER, JOSEF;SCHIESS, KLAUS;CHONG, CHOOI MEI |
分类号 |
H01L25/18;H01L21/52;H01L23/49;H01L23/492;H01L29/78 |
主分类号 |
H01L25/18 |
代理机构 |
|
代理人 |
|
主权项 |
|
地址 |
|