| 摘要 |
Halbleiterbauteil, mit einem Halbleiterkörper, auf dem, durch eine Isolationsschicht (2) getrennt, eine strukturierte Metallisierungsschicht vorgesehen ist, wobei zusätzlich zur strukturierten Metallisierungsschicht längliche, sich in lateraler Richtung erstreckende Anschlussstrukturen (14) ausgebildet sind, die als ein Teil einer Verdrahtungsebene auf oder in dem Halbleiterkörper vorgesehen sind, sich durch die Isolationsschicht erstrecken, und als elektrische Leitungen dienen, um innerhalb eines Zellenfeldes, innerhalb von Randbereichen oder von Logikbereichen des Halbleiterbauteils laterale Stromflüsse zu führen, wobei die Anschlussstrukturen (14) eine elektrische Verbindung zwischen einem Halbleitergebiet (72) im Halbleiterkörper und einer leitenden Schicht (9), die innerhalb eines in dem Halbleitergebiet ausgebildeten Grabens (10) verläuft, ausbilden und weitere Anschlussstrukturen (81, 83) als ein anderer Teil der Verdrahtungsebene einen elektrischen Kontakt zwischen der strukturierten Metallisierungsschicht und dem Halbleiterkörper herstellen, und wobei die Anschlussstrukturen und die weiteren Anschlussstrukturen gemeinsam ausgebildet sind. |
