发明名称 一种氮化硅陶瓷的制备方法
摘要 本发明属于工程陶瓷材料领域,涉及一种陶瓷的制备,具体涉及一种氮化硅陶瓷的制备方法,其特征在于包括如下步骤:a.将氮化硅粉、碳化硅粉、烧结助剂、表面活性剂、水和有机溶剂混合之后干燥;b.将步骤a得到的混合物加入碾磨机,进行粉碎操作,最后得到粉状混合物;c.向由步骤b中得到的粉状混合物中加入有机粘结剂和水,搅拌、混合;d.将由步骤C得到的混合物进行过滤,筛选;e.将步骤d得到的混合物料在135~150℃、15~18Mpa、ph值在7~9之间的时候,下注射成型,得到坯体。
申请公布号 CN104072151A 申请公布日期 2014.10.01
申请号 CN201410287986.5 申请日期 2014.06.25
申请人 中材高新成都能源技术有限公司 发明人 付伟峰;窦涛
分类号 C04B35/584(2006.01)I;C04B35/622(2006.01)I 主分类号 C04B35/584(2006.01)I
代理机构 成都天嘉专利事务所(普通合伙) 51211 代理人 赵丽
主权项  一种氮化硅陶瓷的制备方法,其特征在于包括如下步骤:a.将氮化硅粉、碳化硅粉、烧结助剂、表面活性剂、水和有机溶剂混合之后干燥;<sub />b.将步骤a得到的混合物加入碾磨机,进行粉碎操作,最后得到粉状混合物;c.向由步骤b中得到的粉状混合物中加入有机粘结剂和水,搅拌、混合;d.将由步骤C得到的混合物进行过滤,筛选;<sub />e.将步骤d得到的混合物料在135~150℃、15~18Mpa、ph值在7~9之间的时候,下注射成型,得到坯体。
地址 611400 四川省成都市新津工业园区新材料产业功能区新材18路