发明名称 互连结构的制造方法
摘要 一种互连结构的制造方法,包括:提供基底,在基底上形成具有第一开口的层间介质层,在第一开口内填充导电层形成第一互连结构,对导电层进行化学机械抛光至所述层间介质层,层间介质层表面具有化学机械抛光残留物;对层间介质层进行紫外线处理,去除层间介质层表面的所述残留物;对层间介质层进行紫外线处理后,在层间介质层上形成多孔介质层;在多孔介质层上形成图形化硬掩膜层,以图形化的硬掩膜层为掩膜刻蚀所述多孔介质层,在多孔介质层内形成第二开口,第二开口与第一开口相通,在第二开口内填充导电层形成第二互连结构。采用本发明的方法可以提高互连结构的电连接效果,提高互连结构电性连接可靠性。
申请公布号 CN104078415A 申请公布日期 2014.10.01
申请号 CN201310105947.4 申请日期 2013.03.28
申请人 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 发明人 周鸣
分类号 H01L21/768(2006.01)I 主分类号 H01L21/768(2006.01)I
代理机构 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人 骆苏华
主权项 一种互连结构的制造方法,其特征在于,包括:提供基底,在所述基底上形成具有第一开口的层间介质层,在所述第一开口内填充导电层形成第一互连结构,对所述导电层进行化学机械抛光至所述层间介质层,所述层间介质层表面具有化学机械抛光残留物;对所述层间介质层进行紫外线处理,去除所述层间介质层表面的所述残留物;对所述层间介质层进行紫外线处理后,在所述层间介质层上形成多孔介质层;在所述多孔介质层上形成图形化硬掩膜层,以所述图形化的硬掩膜层为掩膜刻蚀所述多孔介质层,在多孔介质层内形成第二开口,所述第二开口与第一开口相通,在所述第二开口内填充导电层形成第二互连结构。
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