发明名称 | 互连结构的制造方法 | ||
摘要 | 一种互连结构的制造方法,包括:提供基底,在基底上形成具有第一开口的层间介质层,在第一开口内填充导电层形成第一互连结构,对导电层进行化学机械抛光至所述层间介质层,层间介质层表面具有化学机械抛光残留物;对层间介质层进行紫外线处理,去除层间介质层表面的所述残留物;对层间介质层进行紫外线处理后,在层间介质层上形成多孔介质层;在多孔介质层上形成图形化硬掩膜层,以图形化的硬掩膜层为掩膜刻蚀所述多孔介质层,在多孔介质层内形成第二开口,第二开口与第一开口相通,在第二开口内填充导电层形成第二互连结构。采用本发明的方法可以提高互连结构的电连接效果,提高互连结构电性连接可靠性。 | ||
申请公布号 | CN104078415A | 申请公布日期 | 2014.10.01 |
申请号 | CN201310105947.4 | 申请日期 | 2013.03.28 |
申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 周鸣 |
分类号 | H01L21/768(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/768(2006.01)I |
代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 骆苏华 |
主权项 | 一种互连结构的制造方法,其特征在于,包括:提供基底,在所述基底上形成具有第一开口的层间介质层,在所述第一开口内填充导电层形成第一互连结构,对所述导电层进行化学机械抛光至所述层间介质层,所述层间介质层表面具有化学机械抛光残留物;对所述层间介质层进行紫外线处理,去除所述层间介质层表面的所述残留物;对所述层间介质层进行紫外线处理后,在所述层间介质层上形成多孔介质层;在所述多孔介质层上形成图形化硬掩膜层,以所述图形化的硬掩膜层为掩膜刻蚀所述多孔介质层,在多孔介质层内形成第二开口,所述第二开口与第一开口相通,在所述第二开口内填充导电层形成第二互连结构。 | ||
地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 |